是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251AA | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.14 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 130 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 5 A | 最大漏极电流 (ID): | 5 A |
最大漏源导通电阻: | 1.7 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-251AA | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU430APBF | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU430APBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFU430APBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU430B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
IRFU430BTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFU4510 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil | |
IRFU4510PbF | INFINEON |
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High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS | |
IRFU4615 | INFINEON |
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The StrongIRFET? power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capabil | |
IRFU4615PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRFU4615PBF | FREESCALE |
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HEXFETPower MOSFET |