是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-251 | 包装说明: | IPAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.15 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 200 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.3 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.3 A | 最大漏源导通电阻: | 2.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 41 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 8 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU420BTU | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRFU420PBF | KERSEMI |
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Dynamic dV/dt Rating | |
IRFU420PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) = | |
IRFU420PBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU421 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-251AA | |
IRFU422 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | TO-251AA | |
IRFU430A | INFINEON |
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SMPS MOSFET | |
IRFU430A | KERSEMI |
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Power MOSFET | |
IRFU430A | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU430APBF | KERSEMI |
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Power MOSFET |