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IRFU420

更新时间： 2024-09-14 20:21:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	125K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA,

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IRFU420 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.12
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	3 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFU420 数据手册

IRFR420, IRFU420

Data Sheet

January 2002

2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power

MOSFETs

Features

• 2.5A, 500V

These are N-Channel enhancement mode silicon gate

power ﬁeld effect transistors. They are advanced power

MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a

speciﬁed level of energy in the breakdown avalanche mode

of operation. All of these power MOSFETs are designed for

applications such as switching regulators, switching

convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high

power bipolar switching transistors requiring high speed and

low gate drive power. These types can be operated directly

from integrated circuits.

• r = 3.000Ω

DS(ON)

• Single Pulse Avalanche Energy Rated

• SOA is Power Dissipation Limited

• Nanosecond Switching Speeds

• Linear Transfer Characteristics

• High Input Impedance

• Related Literature

- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount

Components to PC Boards”

Formerly developmental type TA17405.

Ordering Information

Symbol

PART NUMBER

IRFR420

IRFU420

PACKAGE

TO-252AA

TO-251AA

BRAND

IFR420

IFU420

NOTE: When ordering, use the entire part number. Add the sufﬁx T to

obtain the TO-252AA variant in the tape and reel, i.e., IRFR420T.

Packaging

JEDEC TO-251AA

JEDEC TO-252AA

SOURCE

DRAIN

GATE

DRAIN

(FLANGE)

GATE

DRAIN (FLANGE)

DRAIN

SOURCE

IRFR420, IRFU420 Rev. B

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFU420A	INFINEON	获取价格	SMPS MOSFET
IRFU420A	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU420A	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU420APBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFU420APbF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRFU420APBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 500V , RDS(on) m
IRFU420ATU	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
IRFU420B	FAIRCHILD	获取价格	500V N-Channel MOSFET
IRFU420BTU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFU420PBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating

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