IRFU420

更新时间： 2024-09-14 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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IRFU420 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.12	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	400 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.4 A	最大漏极电流 (ID)：	2.4 A
最大漏源导通电阻：	3 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251AA	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFU420 数据手册

IRFR420, IRFU420, SiHFR420, SiHFU420

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.0

RoHS*

COMPLIANT

• Surface Mount (IRFR420/SiHFR420)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

3.3

• Straight Lead (IRFU420/SiHFU420)

• Available in Tape and Reel

• Fast Switching

Q_gd(nC)

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

IPAK

(TO-252)

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effictiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surcace mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRFR120TRLPbF^a

SiHFR120TL-E3^a

IRFR120TRL^a

IPAK (TO-251)

IRFU420PbF

SiHFU420-E3

IRFU420

IRFR420PbF

SiHFR420-E3

IRFR420

IRFR420TRPbF^a

SiHFR420T-E3^a

IRFR420TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFR420

SiHFR420T^a

SiHFR120TL^a

SiHFU420

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

_C= 25 °C

2.4

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

1.5

Pulsed Drain Current^a

I_DM

8.0

Linear Derating Factor

0.33

0.020

400

2.4

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

I_AR

E_AR

4.2

T_C= 25 °C

T_A= 25 °C

P_D

2.5

dV/dt

3.5

V/ns

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91275

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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IRFU420BTU	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 500V, 2.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFU420PBF	KERSEMI	获取价格	Dynamic dV/dt Rating

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