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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 40 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.9 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.9 A |
| 最大漏源导通电阻： | 10 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFU410BTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
|
| IRFU411 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 450V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFU420 | INTERSIL |
获取价格 |
2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFU420 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU420 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRFU420 | KERSEMI |
获取价格 |
Dynamic dV/dt Rating |
|
| IRFU420 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A) |
|
| IRFU420A | INFINEON |
获取价格 |
SMPS MOSFET |
|
| IRFU420A | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFU420A | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
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