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IRFU411

更新时间: 2024-09-14 19:50:11
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三星 - SAMSUNG 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 450V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3

IRFU411 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (ID):0.5 A最大漏源导通电阻:10 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFU411 数据手册

  

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