是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | TO-220, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.79 | 雪崩能效等级(Eas): | 40 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 520 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 1.2 A | 最大漏极电流 (ID): | 1.2 A |
最大漏源导通电阻: | 10 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFU410ATU | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
IRFU410B | FAIRCHILD |
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500V N-Channel MOSFET | |
IRFU410BTU | FAIRCHILD |
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暂无描述 | |
IRFU411 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 450V, 10ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRFU420 | INTERSIL |
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2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | |
IRFU420 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRFU420 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
IRFU420 | KERSEMI |
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Dynamic dV/dt Rating | |
IRFU420 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=2.4A) | |
IRFU420A | INFINEON |
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SMPS MOSFET |