5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFPG40PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on) |
|
| IRFPG40PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFPG42 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 3.9A I(D) | TO-247 |
|
| IRFPG50 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A) |
|
| IRFPG50 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFPG50-205PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFPG50PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFPG50PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFPG52 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-247AC |
|
| IRFPG60 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
