IRFPG40

更新时间： 2024-11-29 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFPG40 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.17
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	490 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.3 A
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	3.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	17 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFPG40 数据手册

IRFPG40, SiHFPG40

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

1000

Available

• Repetitive Avalanche Rated

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.5

RoHS*

• Isolated Central Mounting Hole

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

120

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

TO-247

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mouting hole.

It also provides greater creepage distance between pins to

meet the requirements of most safety specifications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFPG40PbF

SiHFPG40-E3

IRFPG40

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFPG40

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

1000

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

4.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.2

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

490

4.3

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

150

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

1.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 50 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.3 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 4.3 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91253

S-81368-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFPG40PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFPG40PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on)
IRFPG40PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFPG42	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 3.9A I(D) \| TO-247
IRFPG50	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
IRFPG50	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFPG50-205PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFPG50PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFPG50PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFPG52	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 5.5A I(D) \| TO-247AC
IRFPG60	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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