IRFPG30PBF

更新时间： 2024-11-28 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFPG30PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AC
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.75	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	180 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.1 A	最大漏极电流 (ID)：	3.1 A
最大漏源导通电阻：	5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AC	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFPG30PBF 数据手册

IRFPG30, SiHFPG30

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

1000

Available

• Repetitive Avalanche Rated

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

V_GS= 10 V

5.0

RoHS*

• Isolated Central Mounting Hole

• Fast Switching

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-247

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-247 package is preferred for commercial-industrial

applications where higher power levels preclude the use of

TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the

earlier TO-218 package because of its isolated mounting

hole. It also provides greater creepage distance between

pins to meet the requirements of most safety specifications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-247

IRFPG30PbF

SiHFPG30-E3

IRFPG30

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFPG30

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

1000

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

3.1

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.0

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

180

3.1

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

125

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

1.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 35 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.1 A, dI/dt ≤ 80 A/µs, V_DD≤ 600, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91252

S-81394-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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IRFPG30PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH6N100	IXYS	功能相似	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH12N100	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs
STW5NK100Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 1000V - 2.7W - 3.5A TO-220/TO-220FP/TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET

与IRFPG30PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFPG32	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 2.8A I(D) \| TO-247AC
IRFPG40	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=3.5ohm, Id=4.3A)
IRFPG40	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFPG40	INTERSIL	获取价格	4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFPG40PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 1000V , RDS(on)
IRFPG40PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFPG42	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 3.9A I(D) \| TO-247
IRFPG50	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=2.0ohm, Id=6.1A)
IRFPG50	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFPG50-205PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

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