5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.2 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBC40LCPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40LCSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFBC40LPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFBC40LPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A) |
|
| IRFBC40PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-220AB |
|
| IRFBC40S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A) |
|
| IRFBC40S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
