5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFBC40PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A) |
|
| IRFBC40PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 6.2A I(D) | TO-220AB |
|
| IRFBC40S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A) |
|
| IRFBC40S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40S, SiHFBC40S, IRFBC40L, SiHFBC40L | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40SPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFBC40SPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRFBC40STRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
