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IRFBC40LCPBF

更新时间： 2024-11-27 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRFBC40LCPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	LEAD FREE PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	6 weeks
风险等级：	0.54	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	530 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A	最大漏极电流 (ID)：	6.2 A
最大漏源导通电阻：	1.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFBC40LCPBF 数据手册

IRFBC40LC, SiHFBC40LC

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Ultra Low Gate Charge

600 V

Available

• Reduced Gate Drive Requirement

• Enhanced 30 V, V_GSRating

• Reduced C_iss, C_oss, C_rss

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.2

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Extremely High Frequency Operation

• Repetitive Avalanche Rated

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

This new series of low charge Power MOSFETs achieve

significantly lower gate charge over conventional Power

MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the

device improvements are achieved without added product

cost, allowing for reduced gate drive requirements and total

system savings. In addition reduced switching losses and

improved efficiency are achievable in a variety of high

frequency applications. Frequencies of a few MHz at high

current are possible using the new low charge Power

MOSFETs.

N-Channel MOSFET

These device improvements combined with the proven

ruggedness and reliability that are characteristic of Power

MOSFETs offer the designer a new standard in power

transistors for switching applications.

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFBC40LCPbF

SiHFBC40LC-E3

IRFBC40LC

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBC40LC

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Gate-Source Voltage

V_GS

6.2

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

530

6.2

E_AR

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

125

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

3.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 25 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 6.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 6.2 A, dI/dt ≤ 80 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91114

S-81567-Rev. A, 28-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFBC40LCSTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC40LPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRFBC40LPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET (VDSS=600V , RDS(on)=1.2Ohm , ID=6.2A)
IRFBC40PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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