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IRF7413ZUTRPBF

更新时间： 2024-01-06 01:44:49

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英飞凌 - INFINEON		放大器脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	262K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOP-8

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IRF7413ZUTRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413ZUTRPBF 数据手册

IRF7413ZUPbF

140

120

100

15V

I_D

3.1A

3.9A

TOP

BOTTOM 10A

DRIVER

D.U.T

20V

Ω

0.01

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

100

125

150

Starting T , Junction Temperature (°C)

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

vs. Drain Current

L_D

V_DS

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

V_DD

D.U.T

Current Regulator

Same Type as D.U.T.

V_GS

Pulse Width < 1µs

Duty Factor < 0.1%

50KΩ

.2µF

12V

Fig 14a. Switching Time Test Circuit

V_DS

.3µF

D.U.T.

90%

3mA

10%

V_GS

Current Sampling Resistors

t_d(on)

t_d(off)

t_r

t_f

Fig 13. Gate Charge Test Circuit

Fig 14b. Switching Time Waveforms

www.irf.com

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