IRF7413ZPBF

更新时间： 2024-02-14 01:34:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier

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IRF7413ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413ZPBF 数据手册

IRF7413ZPbF

10000

12.0

10.0

8.0

= 0V,

= C

f = 1 MHZ

I = 10A

+ C , C

SHORTED

iss

= C

= 24V

= 15V

rss

oss

= C + C

iss

1000

6.0

4.0

oss

2.0

rss

100

0.0

100

Total Gate Charge (nC)

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 6. Typical Gate Charge Vs.

Fig 5. Typical Capacitance vs.

Gate-to-Source Voltage

Drain-to-SourceVoltage

1000.00

100.00

10.00

1.00

1000

100

OPERATION IN THIS AREA

LIMITED BY R (on)

= 150°C

100µsec

1msec

= 25°C

10msec

Tj = 150°C

Single Pulse

= 0V

0.10

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

100

1000

, Source-to-Drain Voltage (V)

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 8. Maximum Safe Operating Area

Fig 7. Typical Source-Drain Diode

Forward Voltage

www.irf.com

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