IRF7413ZPBF

更新时间： 2024-01-27 13:29:04

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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Control FET for Notebool Processor Power, Control and Synchronous Rectifier

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IRF7413ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.64	雪崩能效等级（Eas）：	32 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF7413ZPBF 数据手册

IRF7413ZPbF

1000

100

1000

100

VGS

10V

VGS

10V

TOP

8.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.8V

2.5V

8.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.0V

2.8V

2.5V

BOTTOM

2.5V

20µs PULSE WIDTH

Tj = 150°C

20µs PULSE WIDTH

Tj = 25°C

0.1

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 2. Typical Output Characteristics

Fig 1. Typical Output Characteristics

1000

2.0

1.5

1.0

0.5

= 13A

= 10V

100

= 150°C

= 25°C

= 10V

20µs PULSE WIDTH

5 6

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

, Junction Temperature (°C)

, Gate-to-Source Voltage (V)

Fig 4. Normalized On-Resistance

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

vs.Temperature

www.irf.com

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