IRF630F

更新时间： 2024-10-30 11:09:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管场效应晶体管
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描述
N-channel mosfet transistor

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IRF630F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Base Number Matches：	1

IRF630F 数据手册

MOSFET

INCHANGE

IRF630F

N-channel mosfet transistor

Features

·With TO-220F package

1 2 3

·Low on-stateand thermal resistance

·Fast switching

·V_DSS=200V; R_DS(ON)≤0.4Ω;I_D=9A

·1.gate 2.drain 3.source

Absolute Maximum Ratings Tc=25℃

SYMBOL

V_DSS

V_GS

I_D

PARAMETER

Drain-source voltage (V_GS=0)

Gate-source voltage

RATING

200

UNIT

±20

Drain Current-continuous@ T_C=25℃

Total Dissipation@TC=25℃

Operating Junction temperature

Storage temperature

P_tot

T_j

150

℃

T_stg

-65~150

TO-220F

Electrical Characteristics Tc=25℃

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

200

MAX

UNIT

V_(BR)DSSDrain-source breakdown voltage

V_GS(TH)Gate threshold voltage

V_GS=0; I_D=0.25mA

V_DS= V_GS; I_D=1mA

R_DS(ON)Drain-source on-stage resistance V_GS=10V; I_D=5.4A

400

±100

mΩ

V_GS=±20V;V_DS=0

V_DS=200V; V_GS=0

I_F=9A; V_GS=0

I_GSS

I_DSS

V_SD

Gate source leakage current

Zero gate voltage drain current

Diode forward voltage

1.2

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