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IRF6215STRLPBF

更新时间: 2024-11-12 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 996K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

IRF6215STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99Factory Lead Time:15 weeks
风险等级:0.59Is Samacsys:N
其他特性:AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级(Eas):310 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):13 A
最大漏极电流 (ID):13 A最大漏源导通电阻:0.29 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):44 A认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRF6215STRLPBF 数据手册

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PD - 95132  
IRF6215S/LPbF  
Lead-Free  
www.irf.com  
1
4/21/05  

IRF6215STRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF6215STRL INFINEON

类似代替

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF6215STRRPBF INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IRF6215STRRPBF INFINEON

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SMPS MOSFET
IRF6216PBF INFINEON

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HEXFET Power MOSFET
IRF6216PBF-1 INFINEON

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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF6216TR INFINEON

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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF6216TRPBF INFINEON

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Reset Switch for Active Clamp Reset DC-DC converters
IRF6216TRPBF-1 INFINEON

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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF6217 INFINEON

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HEXFET Power MOSFET(Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters)
IRF6217PBF INFINEON

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SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET