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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.71 | 其他特性： | FAST SWITCHING |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 4 A | 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF621R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
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| IRF622 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
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| IRF622 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| IRF622-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF622-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF622-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF622-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF622-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF622-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| IRF622-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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