5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF622 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
|
| IRF622 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF622-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF622-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF622-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF622-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF622-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF622-004PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF622-005PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF622-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
