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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 6.82 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 27 A | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRF6218STRL | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF6218SPBF | INFINEON |
类似代替 |
暂无描述 |
|
| AUIRF6218S | INFINEON |
功能相似 |
Advanced Planar Technology |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF6218STRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF621FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF621R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF622 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
|
| IRF622 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| IRF622-001 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF622-001PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF622-002PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF622-003PBF | INFINEON |
获取价格 |
4.4A, 200V, 1.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF622-004 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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