5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | LEAD FREE PACKAGE-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 6.25 | 雪崩能效等级（Eas）： | 210 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (ID)： | 27 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 110 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF6218S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF6218SHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF6218SPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF6218STRLHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF6218STRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF6218STRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRF621FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
4A, 150V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| IRF621R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
|
| IRF622 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
|
| IRF622 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
