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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRF6217
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IRF6217

更新时间： 2024-11-11 22:31:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体转换器开关小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 107K
描述
HEXFET Power MOSFET(Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters)

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IRF6217 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：0.7 A最大漏源导通电阻：2.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6217 数据手册

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PD - 94359  
IRF6217  
SMPS MOSFET  
HEXFET® Power MOSFET  
Applications  
l Reset Switch for Active Clamp Reset  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
-150V  
2.4Ω@VGS =-10V -0.7A  
DC to DC converters  
Benefits  
A
l Low Gate to Drain Charge to Reduce  
Switching Losses  
l Fully Characterized Capacitance Including  
Effective COSS to Simplify Design (See  
App. Note AN1001)  
1
2
8
D
S
S
7
D
3
4
6
S
D
5
G
D
l Fully Characterized Avalanche Voltage  
and Current  
SO-8  
Top View  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-0.7  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
-0.5  
A
-5.0  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation„  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
4.5  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through „are on page 8  
www.irf.com  
1
02/13/02  
12345678

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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