5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRF6216TRPBF-1
IRF6216TRPBF-1 PDF预览

IRF6216TRPBF-1

更新时间： 2024-11-11 20:11:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 193K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF6216TRPBF-1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：End Of Life
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOP-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (ID)：2.2 A最大漏源导通电阻：0.24 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF6216TRPBF-1 数据手册

 浏览型号IRF6216TRPBF-1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF6216TRPBF-1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF6216TRPBF-1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF6216TRPBF-1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF6216TRPBF-1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF6216TRPBF-1的Datasheet PDF文件第7页 
IRF6216PbF-1  
HEXFET® Power MOSFET  
VDS  
RDS(on) max  
(@VGS = -10V)  
Qg (typical)  
ID  
-150  
0.24  
33  
V
Ω
A
1
2
3
4
8
D
S
S
7
D
nC  
A
6
S
G
D
5
-2.2  
D
(@TA = 25°C)  
SO-8  
Top View  
Features  
Industry-standard pinout SO-8 Package  
Compatible with Existing Surface Mount Techniques  
RoHS Compliant, Halogen-Free  
Benefits  
Multi-Vendor Compatibility  
Easier Manufacturing  
Environmentally Friendlier  
Increased Reliability  
⇒
MSL1, Industrial qualification  
Standard Pack  
Form  
Base Part Number  
Package Type  
Orderable Part Number  
Quantity  
Tube/Bulk  
Tape and Reel  
95  
4000  
IRF6216PbF-1  
IRF6216TRPbF-1  
IRF6216PbF-1  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
Max.  
-2.2  
-1.9  
-19  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
A
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation„  
2.5  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.02  
± 20  
7.8  
VGS  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source Voltage  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
V/ns  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJL  
Parameter  
Junction-to-Drain Lead  
Typ.  
–––  
Max.  
20  
Units  
RθJA  
Junction-to-Ambient „  
–––  
50  
°C/W  
Notes  through „ are on page 8  
1
www.irf.com © 2014 International Rectifier  
Submit Datasheet Feedback  
June 30, 2014  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRF6216TRPBF-1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF6217 INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET(Reset Switch for Active Clamp Reset DC to DC converters)
IRF6217PBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET
IRF6217PBF-1 INFINEON

获取价格

 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF6217PBF-1_15 INFINEON

获取价格

 		Industry-standard pinout SO-8 Package
IRF6217TR INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF6217TRPBF INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRF6217TRPBF-1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
IRF6218 INFINEON

获取价格

 		SMPS MOSFET
IRF6218L INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRF6218PBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET

与IRF6216TRPBF-1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证