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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.71 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 28 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF140-143 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
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| IRF1404 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=1 |
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| IRF1404 | FREESCALE |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1404 | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance |
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| IRF1404L | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=1 |
|
| IRF1404L | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF1404LPBF | KERSEMI |
获取价格 |
HEXFET® Power MOSFET |
|
| IRF1404LPBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRF1404PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRF1404PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
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