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IRF1404L

更新时间： 2024-11-04 22:48:07
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英飞凌 - INFINEON /
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10页 306K
描述
Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=162A)

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IRF1404L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.11其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：519 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-262AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：650 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1404L 数据手册

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PD-93853C  
IRF1404S  
IRF1404L  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
D
VDSS = 40V  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
RDS(on) = 0.004Ω  
G
ID = 162A†  
Description  
Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from  
S
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRF1404L) is available for low-  
profile applications.  
D2Pak  
IRF1404S  
TO-262  
IRF1404L  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V‡  
Pulsed Drain Current ‡  
162†  
115†  
650  
3.8  
A
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
W
W
Power Dissipation  
200  
1.3  
Linear Derating Factor  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
519  
95  
Single Pulse Avalanche Energy‡  
Avalanche Current  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ‡  
Operating Junction and  
20  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to +175  
-55 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)*  
–––  
www.irf.com  
1
5/18/01  
1234567...10

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IRF1404L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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类似代替

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