5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRF1404STRLPBF
IRF1404STRLPBF PDF预览

IRF1404STRLPBF

更新时间： 2024-01-28 22:56:52
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 276K
描述
Advanced Process Technology

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRF1404STRLPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：15 weeks
风险等级：0.62Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：519 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：75 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：650 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF1404STRLPBF 数据手册

 浏览型号IRF1404STRLPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRF1404STRLPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRF1404STRLPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRF1404STRLPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRF1404STRLPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRF1404STRLPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD-95104  
IRF1404SPbF  
IRF1404LPbF  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 40V  
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
RDS(on) = 0.004Ω  
G
ID = 162A†  
Description  
Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from  
S
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications.  
The D2Pak is a surface mount power package capable of  
accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the  
highest power capability and the lowest possible on-  
resistance in any existing surface mount package. The  
D2Pak is suitable for high current applications because of  
its low internal connection resistance and can dissipate up  
to 2.0W in a typical surface mount application.  
The through-hole version (IRF1404L) is available for low-  
profile applications.  
D2Pak  
TO-262  
IRF1404SPbF IRF1404LPbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V‡  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V‡  
Pulsed Drain Current ‡  
162†  
115†  
A
650  
PD @TA = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
3.8  
W
W
Power Dissipation  
200  
Linear Derating Factor  
1.3  
W/°C  
V
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
Single Pulse Avalanche Energy‡  
Avalanche Current  
519  
mJ  
A
95  
20  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ‡  
Operating Junction and  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to +175  
-55 to +175  
300 (1.6mm from case )  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mounted, steady-state)*  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.75  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
www.irf.com  
1
03/11/04  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRF1404STRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF1404S INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1404STRRPBF INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1404SPBF INFINEON

类似代替

 HEXFET® Power MOSFET

与IRF1404STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF1404STRR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1404STRRPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRF1404Z INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404Z (KRF1404Z) KEXIN

获取价格

 		N-Channel MOSFET
IRF1404ZGPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 40V, 0.0037ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRF1404ZL INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF1404ZLPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZPBF INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRF1404ZS INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRF1404ZS_L KERSEMI

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET Advanced Process Technology

与IRF1404STRLPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证