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IRF1404PBF

更新时间： 2024-01-08 00:04:57
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10页 198K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF1404PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.75
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：620 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：202 A
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.004 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：333 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：808 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF1404PBF 数据手册

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PD-94968  
IRF1404PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Advanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dynamic dv/dt Rating  
l 175°C Operating Temperature  
l Fast Switching  
l Fully Avalanche Rated  
l Automotive Qualified (Q101)  
l Lead-Free  
D
VDSS = 40V  
RDS(on) = 0.004Ω  
G
ID = 202A†  
S
Description  
Seventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET power MOSFETs are well known for, provides  
the designer with an extremely efficient and reliable  
device for use in a wide variety of applications including  
automotive.  
The TO-220 package is universally preferred for all  
automotive-commercial-industrialapplicationsatpower  
dissipation levels to approximately 50 watts. The low  
thermal resistance and low package cost of the TO-220  
contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry.  
Absolute Maximum Ratings  
TO-220AB  
Parameter  
Max.  
202†  
143†  
808  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
333  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
2.2  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
620  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
Avalanche Current  
mJ  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy‡  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction and  
mJ  
1.5  
V/ns  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
-55 to + 175  
°C  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
0.45  
–––  
62  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient  
0.50  
–––  
°C/W  
www.irf.com  
1
02/02/04  
1234567...10

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IRF1404PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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