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IPG20N06S2L35ATMA1

更新时间： 2024-01-02 17:46:22

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N06S2L35ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.58
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPG20N06S2L35ATMA1 数据手册

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IPG20N06S2L-35

Values

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min.

typ.

max.

Thermal characteristics²⁾

R _thJC

R _thJA

Thermal resistance, junction - case

SMD version, device on PCB

2.3

K/W

minimal footprint

100

6 cm²cooling area³⁾

Electrical characteristics, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Static characteristics

V_(BR)DSS

V_GS(th)

_GS=0 V, I _D= 1 mA

_DS=V_GS, I _D=27 µA

Drain-source breakdown voltage

Gate threshold voltage

1.2

1.6

2.0

_DS=55 V, V_GS=0 V,

Zero gate voltage drain current⁴⁾

I _DSS

0.01

µA

T _j=25 °C

_DS=55 V, V_GS=0 V,

100

T _j=125 °C²⁾

Gate-source leakage current⁴⁾

Drain-source on-state resistance⁴⁾

I _GSS

_GS=20 V, V_DS=0 V

_GS=4.5 V, I _D=10A

_GS=10 V, I _D=15A

100 nA

R _DS(on)

mΩ

Rev. 1.0

page 2

2009-09-07

123 4 5 6 7...9

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