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IPG20N06S2L35ATMA1

更新时间： 2024-02-26 10:09:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

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IPG20N06S2L35ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.58
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPG20N06S2L35ATMA1 数据手册

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IPG20N06S2L-35

13 Avalanche energy⁴⁾

14 Drain-source breakdown voltage

_AS= f(T _j)

_BR(DSS)= f(T _j); I _D= 1 mA

parameter: I _D

250

200

5 A

150

100

10 A

15 A

-60

-20

100

140

180

100

125

150

175

T _j[°C]

15 Typ. gate charge⁴⁾

16 Gate charge waveforms

_GS= f(Q _gate); I _D= 20 A pulsed

parameter: V_DD

V _GS

44 V

Q _g

11 V

V _gs(th)

Q _g(th)

Q _sw

Q _gd

Q _gate

Q _gs

_gate[nC]

Rev. 1.0

page 7

2009-09-07

1...4 5 678 9

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