IPG20N06S2L-65

更新时间： 2024-02-26 00:00:09

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IPG20N06S2L-65 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.58
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	43 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	参考标准：	AEC-Q101
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IPG20N06S2L-65

Revision History

Version

Date

Changes

Revision 1.0

07.09.2009 Final Data Sheet

Rev. 1.0

page 9

2009-09-07

1...6 7 89

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IPG20N06S2L-65A	INFINEON	车规级MOSFET	获取价格
IPG20N06S2L65ATMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IPG20N06S2L65AUMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IPG20N06S3L-23	INFINEON	OptiMOS-T Power-Transistor	获取价格
IPG20N06S3L23ATMA1	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 55V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IPG20N06S3L-35	INFINEON	OptiMOS-T Power-Transistor	获取价格