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IPG20N06S2L-50

更新时间： 2024-01-18 01:07:24

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管 PC
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OptiMOS Power-Transistor

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IPG20N06S2L-50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	798476	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	PG-TDSON-8-4	Samacsys Released Date：	2020-01-14 09:53:47
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	51 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPG20N06S2L-50 数据手册

IPG20N06S2L-50

10 Typ. Capacitances⁴⁾

C = f(V_DS); V_GS= 0 V; f = 1 MHz

9 Typ. gate threshold voltage

_GS(th)= f(T _j); V_GS= V_DS

parameter: I _D

2.5

10⁴

10³

10²

10¹

1.5

190µA

Ciss

19µA

Coss

Crss

0.5

-60

-20

T _j[°C]

100

140

180

_DS[V]

11 Typical forward diode characteristicis⁴⁾

12 Avalanche characteristics⁴⁾

IF = f(V_SD)

I _{A S}= f(t _AV)

parameter: T _j

parameter: T_j(start)

10²

100

25 °C

100 °C

150 °C

10¹

25 °C

175 °C

10⁰

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

100

1000

_SD[V]

t _AV[µs]

Rev. 1.0

page 6

2009-09-07

1...3 4 567 8 9

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