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IPG20N06S2L-50

更新时间： 2024-02-20 23:13:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管 PC
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OptiMOS Power-Transistor

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IPG20N06S2L-50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	798476	Samacsys Pin Count：	8
Samacsys Part Category：	MOSFET (N-Channel)	Samacsys Package Category：	Other
Samacsys Footprint Name：	PG-TDSON-8-4	Samacsys Released Date：	2020-01-14 09:53:47
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.05 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F5	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	5
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	51 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPG20N06S2L-50 数据手册

IPG20N06S2L-50

Values

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

min.

typ.

max.

Dynamic characteristics²⁾

Input capacitance⁴⁾

Output capacitance⁴⁾

Reverse transfer capacitance⁴⁾

Turn-on delay time

Rise time

C _iss

C _oss

C_rss

t _d(on)

t _r

430

120

560 pF

160

_GS=0 V, V_DS=25 V,

f =1 MHz

_DD=27.5 V,

_GS=10 V, I _D=20 A,

t _d(off)

t _f

Turn-off delay time

Fall time

R _G=11 Ω

Gate Charge Characteristics^{2, 4)}

Gate to source charge

Gate to drain charge

Q _gs

1.5

4.6

6.9

Q _gd

_DD=44 V, I _D=20 A,

_GS=0 to 10 V

Q _g

Gate charge total

V_plateau

Gate plateau voltage

3.7

Reverse Diode

Diode continous forward current²⁾

one channel active

I _S

1.3

T _C=25 °C

Diode pulse current²⁾

one channel active

I _S,pulse

V_SD

t _rr

_GS=0 V, I _F=15 A,

Diode forward voltage

1.0

T _j=25 °C

V_R=27.5 V, I _F=I _S,

di_F/dt =100 A/µs

Reverse recovery time²⁾

Reverse recovery charge^{2, 4)}

Q _rr

¹⁾Current is limited by bondwire; with an R _thJC=2.9 K/W the chip is able to carry 23A at 25°C.

²⁾Specified by design. Not subject to production test.

³⁾Device on 40 mm x 40 mm x 1.5 mm epoxy PCB FR4 with 6 cm²(one layer, 70 µm thick) copper area for drain

connection. PCB is vertical in still air.

⁴⁾Per channel

Rev. 1.0

page 3

2009-09-07

1 234 5 6 7...9

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