是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-252 |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.96 | 雪崩能效等级(Eas): | 17 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (ID): | 13 A |
最大漏源导通电阻: | 0.078 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPD78CN10NGATMA1 | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPD800N06NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢ Power-Transistor | |
IPD800N06NG_08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS® Power-Transistor Features For fast s | |
IPD800N06NGBTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IPD80CN10NG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS2 Power-Transistor | |
IPD80N04S3-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPD80N06S3-09 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPD80P03P4L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-P2 Power-Transistor | |
IPD80P03P4L07ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0068ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IPD80P03P4L07ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, | |
IPD80R1K0CE | INFINEON |
获取价格 |
800V CoolMOS?CE 是英飞凌的高性能器件系列,可提供 800V 的击穿电压。C |