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IPD80N04S3-06

更新时间： 2024-01-11 21:10:04
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 186K
描述
OptiMOS-T Power-Transistor

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IPD80N04S3-06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-252AA
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.22其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：125 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：80 A最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.0052 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：88 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPD80N04S3-06 数据手册

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IPD80N04S3-06  
OptiMOS®-T Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
40  
5.2  
90  
V
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO252-3-11  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (RoHS compliant)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPD80N04S3-06  
PG-TO252-3-11 QN0406  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, VGS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
90  
A
T C=100 °C,  
V
71  
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=80 A  
320  
125  
Avalanche energy, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
100  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2007-07-09  
1234567...9

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IPD80N04S3-06 替代型号

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