IPD33CN10NG

更新时间： 2024-09-16 03:44:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
13页	708K
描述
OptiMOS㈢2 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IPD33CN10NG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	47 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	27 A	最大漏极电流 (ID)：	27 A
最大漏源导通电阻：	0.033 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	58 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	108 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD33CN10NG 数据手册

IPB35CN10N G IPD33CN10N G

IPI35CN10N G IPP35CN10N G IPU33CN10N G

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

Features

V _DS

100

• N-channel, normal level

R _{DS(on),max (TO252)}

I _D

mΩ

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Very low on-resistance R _DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPB35CN10N G IPD33CN10N G IPI35CN10N G

IPP35CN10N G IPU33CN10N G

Type

PG-TO263-3

35CN10N

PG-TO252-3

33CN10N

PG-TO262-3

35CN10N

PG-TO220-3

35CN10N

PG-TO251-3

33CN10N

Package

Marking

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

I _D

T _C=25 °C

Continuous drain current

T _C=100 °C

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E _AS

T _C=25 °C

108

I _D=27 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=27 A, V _DS=80 V,

di /dt =100 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage³⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

¹⁾J-STD20 and JESD22

²⁾see figure 3

=150°C and duty cycle D=0.01 for Vgs<-5V

jmax

Rev.1.02

page 1

2006-06-02

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

IPD33CN10NG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPD33CN10NGBUMA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

与IPD33CN10NG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPD33CN10NGBUMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD33CN10NGXT	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 100V, 0.033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPD350N06L G	INFINEON	获取价格	OptiMOS ? 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选，例如服务器
IPD350N06LG	INFINEON	获取价格	OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPD350N06LG_08	INFINEON	获取价格	OptiMOS? Power-Transistor Features For fast switching converters and sync. rectification
IPD350N06LGBTMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 60V, 0.035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPD35CN10NG	INFINEON	获取价格	OptiMOS2 Power-Transistor
IPD35N10S3L-26	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPD35N10S3L26ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.0319ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPD35N12S3L-24	INFINEON	获取价格	车规级MOSFET

与IPD33CN10NG相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

6
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

6
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

88
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

79

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD33CN10NG

IPD33CN10NG 技术参数

IPD33CN10NG 数据手册

IPD33CN10NG 替代型号

与IPD33CN10NG相关器件

与IPD33CN10NG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IPD33CN10NG

IPD33CN10NG 技术参数

IPD33CN10NG 数据手册

IPD33CN10NG 替代型号

与IPD33CN10NG相关器件

与IPD33CN10NG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？