5秒后页面跳转
IPB65R190E6 PDF预览

IPB65R190E6

更新时间: 2024-09-15 12:08:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 2217K
描述
650V CoolMOS™ E6 Power Transistor

IPB65R190E6 数据手册

 浏览型号IPB65R190E6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB65R190E6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB65R190E6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB65R190E6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB65R190E6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB65R190E6的Datasheet PDF文件第7页 
MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS E6  
650V CoolMOS™ E6 Power Transistor  
IPx65R190E6  
Data Sheet  
Rev. 2.0, 2011-05-13  
Final  
Industrial & Multimarket  

与IPB65R190E6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB65R225C7 INFINEON

获取价格

650V CoolMOS™ C7 Power Transistor
IPB65R230CFD7A INFINEON

获取价格

D2PAK 3 引脚封装中的 230mOhm IPB65R230CFD7A是汽车级认证 6
IPB65R280C6 INFINEON

获取价格

650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPB65R280C6ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB65R280E6 INFINEON

获取价格

650V CoolMOS E6 Power Transistor
IPB65R310CFD INFINEON

获取价格

650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
IPB65R310CFDA INFINEON

获取价格

650V CoolMOS? CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先
IPB65R310CFDAATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB65R380C6 INFINEON

获取价格

650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPB65R380C6ATMA1 INFINEON

获取价格

Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M