是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.7 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | ULTRA LOW RESISTANCE | 雪崩能效等级(Eas): | 145 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 82 A |
最大漏源导通电阻: | 0.006 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-252 | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 280 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB70N04S4-06 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB70N10S3-12 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB70N10S312ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB70N10S3L-12 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB70N10S3L12ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB70N10SL-16 | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor | |
IPB70N10SL16ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB70N12S3-11 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor | |
IPB70N12S311ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 120V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB70N12S3L-12 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor |