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IPB65R660CFDATMA1

更新时间： 2024-09-16 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
21页 4462K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

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IPB65R660CFDATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：8.43
雪崩能效等级（Eas）：115 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：650 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：0.66 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：17 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPB65R660CFDATMA1 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS™ CFD2 650V  
650V CoolMOS™ CFD2 Power Transistor  
IPx65R660CFD  
Data Sheet  
Rev. 2.5  
Final  
Industrial & Multimarket  
1234567...21

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