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IPB65R660CFDATMA1

更新时间: 2024-11-05 14:51:35
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英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
21页 4462K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3

IPB65R660CFDATMA1 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:D2PAK
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:4
Reach Compliance Code:not_compliant风险等级:8.43
雪崩能效等级(Eas):115 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:650 V
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:0.66 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):17 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPB65R660CFDATMA1 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS™ CFD2 650V  
650V CoolMOS™ CFD2 Power Transistor  
IPx65R660CFD  
Data Sheet  
Rev. 2.5  
Final  
Industrial & Multimarket  

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