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IPB65R660CFDA

更新时间： 2024-09-17 11:16:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		高压开关脉冲晶体管二极管
页数	文件大小	规格书
14页	1977K
描述
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。

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IPB65R660CFDA 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	TO-252, DPAK-3/2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	雪崩能效等级（Eas）：	115 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.66 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	17 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IPB65R660CFDA 数据手册

IPB65R660CFDA,ꢀIPP65R660CFDA

MOSFET

D²PAK

PG-TOꢀ220

650VꢀCoolMOSªꢀCFDAꢀPowerꢀTransistor

tab

CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower

MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand

pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀ650VꢀCoolMOS™ꢀCFDAꢀseries

combinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJꢀMOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhigh

classꢀinnovation.ꢀTheꢀresultingꢀdevicesꢀprovideꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast

switchingꢀSJꢀMOSFETꢀwhileꢀofferingꢀanꢀextremelyꢀfastꢀandꢀrobustꢀbody

diode.ꢀThisꢀcombinationꢀofꢀextremelyꢀlowꢀswitching,ꢀcommutationꢀand

conductionꢀlossesꢀtogetherꢀwithꢀhighestꢀrobustnessꢀmakeꢀespecially

resonantꢀswitchingꢀapplicationsꢀmoreꢀreliable,ꢀmoreꢀefficient,ꢀlighter,ꢀand

cooler.

Drain

Pin 2

Gate

Pin 1

Features

•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode

Source

Pin 3

•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness

•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss

•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀAECꢀQ101

•ꢀGreenꢀpackageꢀ(RoHSꢀcompliant),ꢀPb-freeꢀplating,ꢀhalogenꢀfreeꢀforꢀmold

compound

Potentialꢀapplications

650VꢀCoolMOS™ꢀCFDAꢀisꢀdesignedꢀforꢀswitchingꢀapplications.

Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters

Parameter

Value

650

0.66

Unit

V_DS

RDS(on),max

Qg,typ

Ω

ID,pulse

Eoss @ 400V

Body diode di/dt

Qrr

1.8

µJ

A/µs

µC

900

0.2

trr

Irrm

4.5

Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode

IPB65R660CFDA

Package

Marking

RelatedꢀLinks

PG-TO 263-3

PG-TO 220-3

65F6660A

IPP65R660CFDA

Final Data Sheet

Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2017-11-27

12 3 4 5 6 7...14

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB65R660CFDATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPB70N04S3-07	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N04S307ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB70N04S4-06	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB70N10S3-12	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N10S312ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB70N10S3L-12	INFINEON	获取价格	OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N10S3L12ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB70N10SL-16	INFINEON	获取价格	SIPMOS Power-Transistor
IPB70N10SL16ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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