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IPB65R660CFDA

更新时间： 2024-11-19 11:16:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 高压开关脉冲晶体管二极管
页数 文件大小 规格书
14页 1977K
描述
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先汽车应用高压 CoolMOS™ 功率 MOSFET。650V CoolMOS™ CFDA 系列产品不仅满足汽车行业的高质量和高可靠性要求，还集成快速体二极管。

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IPB65R660CFDA 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：TO-252, DPAK-3/2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81雪崩能效等级（Eas）：115 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：650 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.66 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：17 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IPB65R660CFDA 数据手册

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IPB65R660CFDA,ꢀIPP65R660CFDA  
MOSFET  
D²PAK  
PG-TOꢀ220  
650VꢀCoolMOSªꢀCFDAꢀPowerꢀTransistor  
tab  
tab  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀ650VꢀCoolMOS™ꢀCFDAꢀseries  
combinesꢀtheꢀexperienceꢀofꢀtheꢀleadingꢀSJꢀMOSFETꢀsupplierꢀwithꢀhigh  
classꢀinnovation.ꢀTheꢀresultingꢀdevicesꢀprovideꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast  
switchingꢀSJꢀMOSFETꢀwhileꢀofferingꢀanꢀextremelyꢀfastꢀandꢀrobustꢀbody  
diode.ꢀThisꢀcombinationꢀofꢀextremelyꢀlowꢀswitching,ꢀcommutationꢀand  
conductionꢀlossesꢀtogetherꢀwithꢀhighestꢀrobustnessꢀmakeꢀespecially  
resonantꢀswitchingꢀapplicationsꢀmoreꢀreliable,ꢀmoreꢀefficient,ꢀlighter,ꢀand  
cooler.  
2
1
3
Drain  
Pin 2  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀUltra-fastꢀbodyꢀdiode  
Source  
Pin 3  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀAECꢀQ101  
•ꢀGreenꢀpackageꢀ(RoHSꢀcompliant),ꢀPb-freeꢀplating,ꢀhalogenꢀfreeꢀforꢀmold  
compound  
Potentialꢀapplications  
650VꢀCoolMOS™ꢀCFDAꢀisꢀdesignedꢀforꢀswitchingꢀapplications.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
Value  
650  
0.66  
20  
Unit  
VDS  
V
RDS(on),max  
Qg,typ  
Ω
nC  
A
ID,pulse  
Eoss @ 400V  
Body diode di/dt  
Qrr  
17  
1.8  
µJ  
A/µs  
µC  
ns  
A
900  
0.2  
trr  
65  
Irrm  
4.5  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPB65R660CFDA  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
PG-TO 263-3  
PG-TO 220-3  
65F6660A  
-
IPP65R660CFDA  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.3,ꢀꢀ2017-11-27  
1234567...14

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与IPB65R660CFDA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB65R660CFDATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IPB70N04S3-07 INFINEON

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 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N04S307ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPB70N04S4-06 INFINEON

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 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPB70N10S3-12 INFINEON

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 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N10S312ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB70N10S3L-12 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPB70N10S3L12ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB70N10SL-16 INFINEON

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 		SIPMOS Power-Transistor
IPB70N10SL16ATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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