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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 5.66 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 雪崩能效等级（Eas）： | 290 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 650 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.31 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 34.4 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB65R380C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPB65R380C6ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB65R420CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor |
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| IPB65R600C6 | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS C6 Power Transistor |
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| IPB65R660CFD | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS CFD Power Transistor |
|
| IPB65R660CFDA | INFINEON |
获取价格 |
650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先 |
|
| IPB65R660CFDATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPB70N04S3-07 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB70N04S307ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IPB70N04S4-06 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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