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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | D2PAK |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 115 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 63 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 17 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB65R660CFDA | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先 |
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| IPB65R660CFDATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IPB70N04S3-07 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB70N04S307ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IPB70N04S4-06 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor |
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| IPB70N10S3-12 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB70N10S312ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IPB70N10S3L-12 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor |
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| IPB70N10S3L12ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB70N10SL-16 | INFINEON |
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SIPMOS Power-Transistor |
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