是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | Factory Lead Time: | 1 week |
风险等级: | 5.82 | 雪崩能效等级(Eas): | 215 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 650 V | 最大漏极电流 (ID): | 10.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 29 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB65R420CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor | |
IPB65R600C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
IPB65R660CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS CFD Power Transistor | |
IPB65R660CFDA | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先 | |
IPB65R660CFDATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 650V, 0.66ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IPB70N04S3-07 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB70N04S307ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IPB70N04S4-06 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB70N10S3-12 | INFINEON |
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OptiMOS-T Power-Transistor | |
IPB70N10S312ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 100V, 0.0113ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |