是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 8.44 |
雪崩能效等级(Eas): | 290 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 650 V |
最大漏源导通电阻: | 0.28 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 39 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB65R280E6 | INFINEON |
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650V CoolMOS E6 Power Transistor | |
IPB65R310CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor | |
IPB65R310CFDA | INFINEON |
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650V CoolMOS? CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先 | |
IPB65R310CFDAATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 11.4A I(D), 650V, 0.31ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB65R380C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
IPB65R380C6ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 650V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB65R420CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor | |
IPB65R600C6 | INFINEON |
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650V CoolMOS C6 Power Transistor | |
IPB65R660CFD | INFINEON |
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650V CoolMOS CFD Power Transistor | |
IPB65R660CFDA | INFINEON |
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650V CoolMOS™ CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先 |