IPB65R190CFDA

更新时间： 2024-09-15 13:08:47

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IPB65R190CFDA 数据手册

MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

CoolMOS C6/CFD 650V

650V CoolMOS™ C6 CFD Power Transistor

IPx65R190CFD

Data Sheet Data Sheet

Rev. 2.2

Final

Industrial & Multimarket

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPB65R190CFDAATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB65R190CFDATMA2	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, TO-263, D2PAK-3
IPB65R190E6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOSâ¢ E6 Power Transistor
IPB65R225C7	INFINEON	获取价格	650V CoolMOSâ¢ C7 Power Transistor
IPB65R230CFD7A	INFINEON	获取价格	D2PAK 3 引脚封装中的 230mOhm IPB65R230CFD7A是汽车级认证 6
IPB65R280C6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 Power Transistor
IPB65R280C6ATMA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 650V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPB65R280E6	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS E6 Power Transistor
IPB65R310CFD	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor
IPB65R310CFDA	INFINEON	获取价格	650V CoolMOS? CFDA 超结 (SJ) MOSFET 是英飞凌第二代市场领先