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IPB180N04S4H0ATMA1

更新时间： 2024-01-15 21:46:17
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 163K
描述
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.0011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, GREEN, PLASTIC PACKAGE-7/6

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IPB180N04S4H0ATMA1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：1.61
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：850 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263
JESD-30 代码：R-PSSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：720 A
参考标准：AEC-Q101表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB180N04S4H0ATMA1 数据手册

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IPB180N04S4-H0  
OptiMOS®-T2 Power-Transistor  
Product Summary  
VDS  
R DS(on)  
I D  
40  
1.1  
180  
V
mΩ  
A
Features  
• N-channel - Enhancement mode  
PG-TO263-7-3  
• AEC qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green product (RoHS compliant)  
• Ultra low Rds(on)  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Marking  
IPB180N04S4-H0  
PG-TO263-7-3  
4N04H0  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
T C=25°C, VGS=10V1)  
I D  
Continuous drain current  
180  
180  
A
T C=100 °C,  
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
EAS  
I AS  
T C=25 °C  
720  
850  
I D=90 A  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche current, single pulse  
Gate source voltage  
mJ  
A
-
180  
VGS  
Ptot  
-
±20  
V
T C=25 °C  
Power dissipation  
250  
W
°C  
T j, T stg  
-
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-
-
-55 ... +175  
55/175/56  
Rev. 1.0  
page 1  
2010-04-13  
1234567...9

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