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IPB180N04S4L-01

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

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英飞凌 - INFINEON		/
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IPB180N04S4L-01 数据手册

Data Sheet

IPB180N04S4L-01

OptiMOS^TM-T2 Power-Transistor

Product Summary

V_DS

R_DS(on)

I_D

1.2

180

Features

• N-channel Logic Level - Enhancement mode

PG-TO263-7-3

• AEC qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green product (RoHS compliant)

• 100% Avalanche tested

Drain

Pin 4, Tab

Gate

Pin 1

Type

Package

Marking

IPB180N04S4L-01

PG-TO263-7-3

4N04L01

Source

Pin 2, 3, 5, 6, 7

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol

Conditions

Unit

T _C=25°C, V_GS=10V¹⁾

I _D

Continuous drain current

180

T _C=100 °C,

V_GS=10 V²⁾

180

Pulsed drain current²⁾

I _D,pulse

E_AS

I _AS

T _C=25 °C

720

550

I _D=90 A

Avalanche energy, single pulse

Avalanche current, single pulse

Gate source voltage

180

V_GS

P_tot

+20/-16

188

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... +175

55/175/56

Rev. 1.1

page 1

2019-08-06

12 3 4 5 6 7...9

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