是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | Factory Lead Time: | 14 weeks |
风险等级: | 5.75 | 雪崩能效等级(Eas): | 550 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 40 V | 最大漏极电流 (ID): | 180 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0012 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G6 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 720 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB180N04S4L-H0 | INFINEON |
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本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用;并列出了当前可用的产品系列, | |
IPB180N04S4LH0ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 40V, 0.001ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IPB180N06S4-H1 | INFINEON |
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OptiMOS-T2 Power-Transistor | |
IPB180N06S4H1ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB180N06S4H1ATMA2 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 60V, 0.0017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB180N08S4-02 | INFINEON |
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? 仿真/ SPICE-型号 | |
IPB180N08S402ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB180N10S4-02 | INFINEON |
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? 仿真/ SPICE-型号 | |
IPB180N10S402ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, | |
IPB180N10S4-03 | INFINEON |
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本培训解释了TOLG的优势以及该封装的目标工业应用和汽车应用;并列出了当前可用的产品系列, |