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IKW40T120

更新时间： 2024-02-01 06:55:42
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网快速恢复二极管
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15页 452K
描述
LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-PARAALEL EMCON HE DIODE

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IKW40T120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247AC
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：1.6Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：75 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：270 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：700 ns
标称接通时间 (ton)：92 nsBase Number Matches：1

IKW40T120 数据手册

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IKW40T120  
TrenchStop Series  
Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology  
with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode  
C
•
•
•
Best in class TO247  
Short circuit withstand time – 10µs  
Designed for :  
G
E
- Frequency Converters  
- Uninterrupted Power Supply  
•
•
Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :  
- very tight parameter distribution  
- high ruggedness, temperature stable behavior  
NPT technology offers easy parallel switching capability due to  
positive temperature coefficient in VCE(sat)  
Low EMI  
P-TO-247-3-1  
(TO-247AC)  
•
•
•
•
Low Gate Charge  
Very soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode  
Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/  
Type  
VCE  
IC  
VCE(sat),Tj=25°C  
Tj,max  
Package  
TO-247AC  
Ordering Code  
IKW40T120  
1200V  
40A  
1.8V  
Q67040-S4520  
150°C  
Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector-emitter voltage  
DC collector current  
TC = 25°C  
VCE  
IC  
1200  
V
A
75  
40  
TC = 100°C  
Pulsed collector current, tp limited by Tjmax  
Turn off safe operating area  
ICpul s  
-
105  
105  
VCE ≤ 1200V, Tj ≤ 150°C  
Diode forward current  
TC = 25°C  
IF  
80  
40  
TC = 100°C  
Diode pulsed current, tp limited by Tjmax  
Gate-emitter voltage  
Short circuit withstand time1)  
VGE = 15V, VCC ≤ 1200V, Tj ≤ 150°C  
Power dissipation  
IFpul s  
VG E  
tSC  
105  
±20  
10  
V
µs  
Pt ot  
270  
W
TC = 25°C  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
Soldering temperature, 1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
Tj  
-40...+150  
-55...+150  
260  
°C  
Tstg  
-
1) Allowed number of short circuits: <1000; time between short circuits: >1s.  
1
Preliminary / Rev. 1 Jul-02  
Power Semiconductors  
1234567...15

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IKW40T120 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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