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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 20 weeks | 风险等级： | 0.71 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 80 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | JEDEC-95代码： | TO-247 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 332 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 55 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKW50N60H3 | INFINEON |
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IGBT HighSpeed 3 |
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| IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, GREEN, PLA |
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| IKW50N60T | INFINEON |
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Low Loss DuoPack : IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-p |
|
| IKW50N60T_08 | INFINEON |
获取价格 |
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology |
|
| IKW50N60TA | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
|
| IKW50N60TFKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, GREEN, PL |
|
| IKW50N60TXK | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IKW50N65EH5 | INFINEON |
获取价格 |
650V DuoPack IGBT and full-rated diode High speed series fifth generation |
|
| IKW50N65EH5_15 | INFINEON |
获取价格 |
650V DuoPack IGBT and full-rated diode High speed series fifth generation |
|
| IKW50N65ES5 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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